IRF7455
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7455 | 1890 | 29.47 руб. | |
Технические характеристики IRF7455
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3480pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7455 30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package
Производитель:
|
||
