IRF830A
Версия для печати
Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF830APBF | 700 | 31.36 руб. | |
Описание IRF830A
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 5А
Максимальное напряжение сток-исток 500В
Сопротивление сток-исток (откр.) <1.5 Ом
Максимальная мощность рассеивания 74Вт
Диапазон рабочих температур - 55 ...+150oC
Технические характеристики IRF830A
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF830AL N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=1.40ohm, Id=5.0A) Также в этом файле: IRF830AS
Производитель:
|
||
