IRF840A
Версия для печати
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF840A (ST MICROELECTRONICS) | 8 | 122.47 руб. | |
| IRF840A (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 8 | 122.47 руб. | |
| IRF840APBF | 816 | 74.50 руб. | |
Описание IRF840A
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Напряжение сток - исток 500В
Ток стока 8A
Мощность 125Вт
Сопротивление 0.85Ом
Технические характеристики IRF840A
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1018pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF840AL Дискретные сигналы Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=0.85ohm, Id=8.0A) Также в этом файле: IRF840AS
Производитель:
|
||
