IRF840SPBF
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 8A, 125W, 0.85R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF840SPBF (VISHAY) | 1120 | 148.78 руб. | |
Технические характеристики IRF840SPBF
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRF840SPBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
