IRFB31N20D

Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R

Наименование
Кол-во
Цена
IRFB31N20DPBF (INFINEON) 1 823.56

Технические характеристики IRFB31N20D

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 31A
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2370pF @ 25V
Power - Max 3.1W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru