IRFD220

Полевой транзистор N-канальный (Vds=200V, Id=0.8A@T=25C, Id=0.5A@T=100C, Rds=0.8 R, P=1.0W, -55 to +150C).

Наименование
Кол-во
Цена
IRFD220 2801 48.58

Технические характеристики IRFD220

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 480mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 800mA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 260pF @ 25V
Power - Max 1W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус 4-DIP, Hexdip, HVMDIP


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru