IRFP054N
Версия для печати
Транзистор полевой N-MOS 55V, 81A, 170WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFP054N | 8 | 110.20 руб. | |
Технические характеристики IRFP054N
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 43A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 81A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
|
IRFP054N N-канальные транзисторные модули Power Mosfet
Производитель:
|
||
