IRFP4368PBF
Версия для печати
N-Ch 75V 350A 520W 0,0018RНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFP4368PBF | 1200 | 119.84 руб. | |
Технические характеристики IRFP4368PBF
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.85 mOhm @ 195A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 19230pF @ 50V |
| Power - Max | 520W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
|
IRFP4368PbF MOSFET HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
||
