IRFP450PBF
Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=14A@T=25C, Id=8.7A@T=100C, Rds=0.4R, P=190W, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFP450PBF (VISHAY) | 192 | 227.54 руб. | |
Технические характеристики IRFP450PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFP450PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
