IRFPF40
Версия для печати
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFPF40 | 8 | 555.00 руб. | |
Технические характеристики IRFPF40
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFPF40 N-канальные транзисторные модули Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =2.5ohm, Id=4.7a)
Производитель:
|
||
