IRFR024PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR024PBF 83 50.69 руб. 

Технические характеристики IRFR024PBF

FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 14A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 640pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
IRFR024PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFR024PBF.pdf
159.7 Кб