IRFR9310PBF

Версия для печати Транзистор полевой P-канальный (Vds=-400V, Id=-1.8A@T=25C, Id=-1.1A@T=100C, Rds=0,7.0 R, P=50W, -55 to +150C).

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR9310PBF 24 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRFR9310PBF

FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.8A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 270pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
IRFR9310PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFR9310PBF.pdf
276.8 Кб