IRLML0030
Версия для печати
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML0030 | 16800 | 1.28 руб. | |
| IRLML0030TRPBF (INFINEON) | 10400 | 17.36 руб. | |
Описание IRLML0030
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление
Напряжение сток исток 30В
Ток стока 5.3А
Мощность рассеиваемая 1.3Вт
Время восстановления 11нс
Диапазон температур - 55 ... 150оС
Технические характеристики IRLML0030
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.2A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 382pF @ 15V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3Вт
|
||
