IRLZ34N
Версия для печати
Транзистор полевойНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLZ34N | 7 | 88.80 руб. | |
Технические характеристики IRLZ34N
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 30A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 880pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRLZ34N N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
Производитель:
|
||
