IXFK120N20

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
IXFK120N20 16 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IXFK120N20

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HiPerFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 120A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 9100pF @ 25V
Power - Max 560W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-264AA
Корпус TO-264AA
IXFK120N20
N-канальные транзисторные модули

HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die

Производитель:
IXYS Corporation
http://www.ixys.com

ixfk120n20.pdf
50.81Kb
2стр.