MMBTA42LT1G
Версия для печати
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MMBTA42LT1G | 39600 | 2.80 руб. | |
Технические характеристики MMBTA42LT1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
MMBTA42LT1G High Voltage Transistors NPN Silicon Также в этом файле: MMBTA42LT1G
Производитель:
|
||
