NTR1P02LT1G

Параметр	Значение
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 750mA, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	225pF @ 5V
Power - Max	400mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru