Si4388DY-T1-E3


Наименование
Кол-во
Цена
SI4388DY-T1-E3 2 Заказ радиодеталей

Технические характеристики Si4388DY-T1-E3

Параметр
Значение
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8.1A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8A, 10V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Серия TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 946pF @ 15V
Power - Max 1.9W, 2.2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru