SI4946BEY-T1-GE3


Наименование
Кол-во
Цена
SI4946BEY-T1-GE3 (VISHAY) 641 421.29

Технические характеристики SI4946BEY-T1-GE3

Параметр
Значение
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 5.3A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Серия TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 840pF @ 30V
Power - Max 3.7W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru