SI4948BEY-T1-E3


Наименование
Кол-во
Цена
SI4948BEY-T1-E3 4 Заказ радиодеталей

Технические характеристики SI4948BEY-T1-E3

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3.1A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
Power - Max 1.4W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru