STP10NK60Z
Версия для печати
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75RТехнические характеристики STP10NK60Z
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1370pF @ 25V |
| Power - Max | 115W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
STP10NK60Z MOSFET N-channel 650 V, 0.65 ?, 10 A, SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected TO-220
Производитель:
|
||
