DTC124ES

Версия для печати Транзистор биполярный цифровой NPN DIGITAL, 50V, 30mA, 22/22кОм

Технические характеристики DTC124ES

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition 250MHz
Power - Max 300mW
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) SC-72-3, SPT
Корпус SPT
PDTC124ES
Универсальные биполярные NPN транзисторы

NPN resistor-equipped transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

pdtc124es.pdf
73.05Kb
8стр.