2SA1930

Версия для печати Биполярный транзистор PNP 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SC5171)

Описание 2SA1930

Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)  2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин  100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц  200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 2
Корпус TO220F

Технические характеристики 2SA1930

Корпус TO-220NIS
Корпус (размер) 2-10R1A (TO-220 NIS)
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 200MHz
Power - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 180V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
2SA1930
Обработка сигналов

Transistor (power, Driver Stage Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

2sa1930.pdf
137.68Kb
2стр.