2SA965

Версия для печати Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)

Технические характеристики 2SA965

Корпус LSTM
Корпус (размер) TO-92-3 (Long Body), TO-226
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 120MHz
Power - Max 900mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant

Аналоги для 2SA965

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SA1020 1 46.46 руб. 
2SA965

Transistor Silicon Pnp Epitaxial Type (pct Process)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

2sa965.pdf
175.4Kb
3стр.