2SC2655

Версия для печати Биполярный транзистор NPN lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)

Технические характеристики 2SC2655

Корпус LSTM
Корпус (размер) TO-92-3 (Long Body), TO-226
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 900mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
2SC2655

Transistor (power Amplifier, Switching Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

2sc2655.pdf
181.66Kb
4стр.