2SC5198

Версия для печати Биполярный транзистор

Технические характеристики 2SC5198

Корпус TO-3P(N)
Корпус (размер) TO-3
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 30MHz
Power - Max 100W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 700mA, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
2SC5198
Обработка сигналов

Npn Triple Diffused Type (power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

2sc5198.pdf
149.45Kb
2стр.