2SD2012

Версия для печати Биполярный транзистор NPN 60V, 3A, 25W, 9MHz

Технические характеристики 2SD2012

Корпус TO-220F
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 3MHz
Power - Max 25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
2SD2012

Npn Triple Diffused Type (audio Frequency Power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

2sd2012.pdf
167.27Kb
3стр.