BC857

Версия для печати маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC857 176 6.30 руб. 

Описание BC857

Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Транзистор общего назначения SMD PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW).
Uк.б.макс. = 50 В
Uк.е.макс. = 45 В
Ue.б.макс. = 5 VI
к.макс. 100 mA
Iк.пик. 0.3 A
Pмакс. 310 mW
B=110-800@I=2mA;
Vсе=5V;
f>250MHz
-55 to +150C

Технические характеристики BC857

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Power - Max 250mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB
BC856

маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа

Также в этом файле: BC857A, BC857B, BC857C

Производитель:
Infineon Technologies AG
http://www.infineon.com

bc857.pdf
158,11kB
10стр.