MJD44H11G
Версия для печати
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MJD44H11G (ONSEMI) | 251 | 72.48 руб. | |
Описание MJD44H11G
Транзистор биполярный NPN
Напряжение сток-исток / исток - затвор 80В
Ток стока 8А
граничная частота передачи тока 50МГц
Мощность 20Вт
Коэфф- т передачи тока 60
Технические характеристики MJD44H11G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 85MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
|
MJD44H11 Мощные биполярные транзисторы SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS Также в этом файле: MJD44H11G
Производитель:
|
||
