MJE2955T
Версия для печати
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MJE2955T (ST MICROELECTRONICS) | 40 | 79.56 руб. | |
Технические характеристики MJE2955T
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 700µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 75W |
| Frequency - Transition | 2MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
UTCMJE2955T Биполярные транзисторы PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE
Производитель:
|
||
