MMBT3904LT1G
Версия для печати
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВтОписание MMBT3904LT1G
Полевой транзистор для SMD монтажа
Напряжение сток / исток -/+ 40В
Ток стока -/+200мА
Мощность 150мВт
Диапазон температур - 55 ... 150оС
Технические характеристики MMBT3904LT1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
MMBT3904LT1G Универсальные биполярные транзисторы General Purpose Transistor NPN Silicon
Производитель:
|
||
