MMBT5551LT1G


Наименование
Кол-во
Цена
MMBT5551LT1G 320 1.26

Технические характеристики MMBT5551LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 225mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru