BSH103
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BSH103 (VBSEMI) | 41 | 11.50 руб. | |
Технические характеристики BSH103
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 850mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 400mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 83pF @ 24V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
|
BSH103 Мощные полевые МОП транзисторы N-channel Enhancement Mode Mos Transistor
Производитель:
|
||
