BSP317P

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP317P 4651 Заказ радиодеталей

Технические характеристики BSP317P

FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 430mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 430mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 370µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 262pF @ 25V
Power - Max 1.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус PG-SOT223-4