BSP89 E6327

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP89 E6327 27568 Заказ радиодеталей

Описание BSP89 E6327

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

Технические характеристики BSP89 E6327

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Серия SIPMOS®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 350mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 350mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 140pF @ 25V
Power - Max 1.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус PG-SOT223-4