BSZ160N10NS3 G

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSZ160N10NS3 G 16 Заказ радиодеталей

Технические характеристики BSZ160N10NS3 G

Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 20A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия OptiMOS™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 40A
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 12µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 50V
Power - Max 63W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-PowerTDFN
Корпус PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)