FDC638P


Наименование
Кол-во
Цена
FDC638P 80 Заказ радиодеталей

Технические характеристики FDC638P

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия PowerTrench®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1160pF @ 10V
Power - Max 800mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус 6-SSOT
Product Change Notification Design/Process Change Notification 11/May/2007 Cu Wire Change 30/July


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru