FQB6N80TM

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
FQB6N80TM 4 Заказ радиодеталей

Технические характеристики FQB6N80TM

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.8A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
Power - Max 3.13W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D²PAK