FQD7N20LTM
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| FQD7N20LTM | 1940 | 39.10 |
Описание FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAKТехнические характеристики FQD7N20LTM
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 2.75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 500pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru