FQD8P10

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
FQD8P10 2 133.06 руб. 

Технические характеристики FQD8P10

Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия QFET™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 470pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak