FQT4N20LTF


Наименование
Кол-во
Цена
FQT4N20LTF 4 Заказ радиодеталей

Технические характеристики FQT4N20LTF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 Ohm @ 425mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 850mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 310pF @ 25V
Power - Max 2.2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223-3


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru