IRF530NPBF
Версия для печати
Полевой транзисторНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF530NPBF | 1052 | 49.26 руб. | |
Технические характеристики IRF530NPBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
| Power - Max | 70W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
