IRF830
Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5АНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF830 | 608 | 30.10 руб. | |
Описание IRF830
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 4.5А
Максимальное напряжение сток-исток 500В
Сопротивление сток-исток (откр.) < 1.5 Ом
Максимальная мощность рассеивания 100Вт
Допустимое напряжение на затворе +-20В
Пороговое напряжение на затворе +2..+4В
Ток утечки затвора < 0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.) < 25 мкА
Время включения/выключения 8/42нс (тип.)
Диапазон рабочих температур - 55...+150oC
Аналоги КП753А,2SK2661
Технические характеристики IRF830
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Серия | PowerMESH™ |
|
IRF830 N-channel 500V - 1.35 Ohm - 4.5A - TO-220 Powermesh MOSFET
Производитель:
|
||
