IRF9530

Версия для печати Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF9530PBF (VISHAY) 192 106.27 руб. 

Описание IRF9530

P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики транзистора IRF9530:
Максимальный ток стока  12А
Максимальное напряжение сток-исток         100В
Сопротивление сток-исток (откр.)           < 0.2Ом
Максимальная мощность рассеивания          75Вт
Допустимое напряжение на затворе          +/-20В
Пороговое напряжение на затворе     - 2 ...-4V
Ток утечки затвора              < 0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.)         < 25 мкА
Время включения/выключения         15/45нс(тип.)
Время восстановления диода           130нс (тип.)
Входная/выходная ёмкость        760/260пФ
Корпус TO-220
Диапазон рабочих температур  - 55 ...+175oC

Технические характеристики IRF9530

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 860pF @ 25V
Power - Max 88W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
IRF9x3xx

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRF9530

Производитель:
Samsung semiconductor
http://www.samsung.com

irf9x3xx.pdf
382.16Kb
6стр.