IRF9Z34N
Версия для печати
P-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=19A@T=25C, Id=14A@T=100C, Rds=0.1 R@Vgs=10V, P=68W, -55 to +175C).Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF9Z34N | 616 | 37.18 руб. | |
| IRF9Z34NPBF | 1960 | 30.25 руб. | |
Описание IRF9Z34N
P-канальный полевой транзистор
Напряжение сток / исток 55В
Напряжение затвор / исток -/+ 20В
Ток стока 19A@T=25C, Id=14A@T=100C
Сопротивление Rds=0.1 R@Vgs=10В
Мощность 68Вт
Диапазон температур - 55 ... +175оC
Технические характеристики IRF9Z34N
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF9Z34NS P-канальные транзисторные модули 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9Z34NS
Производитель:
|
||
