IRFB18N50K

Версия для печати Транзистор полевой

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFB18N50K 3 416.06 руб. 

Технические характеристики IRFB18N50K

FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2830pF @ 25V
Power - Max 220W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
IRFB18N50K
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

irfb18n50k.pdf
86.13Kb
8стр.