IRFPE40PBF
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 5.4A, 150W, 2.0R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFPE40PBF | 360 | 148.63 руб. | |
Технические характеристики IRFPE40PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFPE40PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
