IRLL024Z

Версия для печати Hexfet power mosfets discrete n-channel

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLL024Z 48 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRLL024Z

FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 380pF @ 25V
Power - Max 1W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223
IRLL024Z
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLL024Z.pdf
217.4 Кб