IRLR4343PBF
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLR4343PBF | 80 |
|
|
Технические характеристики IRLR4343PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 26A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 50V |
| Power - Max | 79W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
