SI2323DS-T1-E3

Транзистор МОП р-канальный 20V 4.7A 0R03

Наименование
Кол-во
Цена
SI2323DS-T1-E3 1 Заказ радиодеталей

Технические характеристики SI2323DS-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1020pF @ 10V
Power - Max 750mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru